影響未來設(shè)計(jì)中的新興。HDD的面密度一直在以每年的速度。磁阻和已經(jīng)開發(fā)出了磁阻傳感器來支持這種。軟磁合金這些的操作描述傳感器。進(jìn)行投影硬盤的未來性能和價(jià)格。磁性硬盤驅(qū)動(dòng)器。新頭部設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)室研究和導(dǎo)致了1、3、5和近的11.6吉比特/平方英寸。這些的意圖調(diào)查是為了開發(fā)頭部用于未來的產(chǎn)品，實(shí)際上是具有1.6吉比特/ in2的面密度將較高可能到2001年。圖3顯示了磁頭的演變來支持這種面密度的增加。用于讀取和寫入的薄膜感應(yīng)頭從1991年開始由磁阻（MR）代替讀取傳感器與感應(yīng)式寫入頭相結(jié)合，在1997年，一個(gè)大磁阻（GMR）磁頭被引入以繼續(xù)這一進(jìn)展。一個(gè)實(shí)驗(yàn)室演示速度為11.6吉比特/ in2使用此GMR頭設(shè)計(jì)執(zhí)行。新頭設(shè)計(jì)正在出現(xiàn)，以提供進(jìn)一步的區(qū)域密度增加，涉及的GMR結(jié)構(gòu)或已報(bào)道的隧道結(jié)裝置。數(shù)字4表示MR和GMR讀取的縮放過程自1991年以來的傳感器。這種發(fā)展涉及減少傳感器的長(zhǎng)度，從而增加了航跡密度的以及膜厚度的減小，這決定了位密度。每次遞減結(jié)果高的面密度并相應(yīng)地高硬盤容量，這種發(fā)展有望在整個(gè)十年中一直延續(xù)到下一個(gè)。