GMR結構中的磁變量

在GMR結構中的磁取向,有一個變量磁取向由磁盤的磁場。當固定和固定的膠片都平行的磁取向,軟磁合金通過與反鐵磁接觸傳導電子可能穿越每部電影很長一段距離墊片。記錄產生的磁場磁盤表面上的數(shù)據位旋轉自由膜的方向,從而電子由于頻繁移動電子碰撞。磁取向自由NiFe膜內的波動大GMR傳感器比MR傳感器要多信號幅度變化是原來適合高面密度。GMR磁頭現(xiàn)已投入生產,可用于服務器,臺式機和移動設備的大容量HDD計算機平臺。采用新硬盤的設計GMR負責人很可能會繼續(xù)保持60%的增加在不久的將來會導致面密度增加硬盤容量逐漸增加。性能圖6指示數(shù)據速率,速率為哪些數(shù)據寫入和讀取轉盤,隨著時間的推移顯著增加步伐。這是因為隨著以及磁盤旋轉速度。今天的服務器產品有里面數(shù)據速率過20兆字節(jié)/秒,并且預計到2000年至少會翻一番。電子數(shù)據通道的性能將過500 MHz以允許這些非常的數(shù)據速率,需要的CMOS處理光刻線寬接近0.25微米數(shù)據速率的這種趨勢緊密決定了HDD通信的接口速率用電腦。高數(shù)據速率的新趨勢從數(shù)據通道到臂放大器和控制器芯片的電子設備將被合并具有的電子集成,以減少電路芯片數(shù),從而電子產品價格和功耗及性能

軟磁合金

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