數(shù)據(jù)通道設(shè)計(jì)將從（部分響應(yīng)似然）發(fā)展而來(lái)通道將高速數(shù)據(jù)增加到新水平檢測(cè)，分析和編碼。許多軟磁合金這些設(shè)計(jì)目前處于測(cè)試階段實(shí)驗(yàn)室。電感式寫頭以及寫驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)中的其他，將為磁物理學(xué)家開辟一個(gè)新領(lǐng)域來(lái)解決，基于具有500 MHz及較高頻率時(shí)的短脈沖寬度。價(jià)錢圖7顯示了每兆字節(jié)價(jià)格的減少HDD與DRAM電子電路的比較[5]。在增加面密度的基礎(chǔ)上以每年60的速度增長(zhǎng)，并且假設(shè)下降幅度不大以單價(jià)計(jì)，每兆字節(jié)的價(jià)格為預(yù)計(jì)HDD每年將增加近40％，如圖所示。如果面密度繼續(xù)增加以這個(gè)60％的速度，硬盤價(jià)格將有望進(jìn)一步下降，達(dá)到每兆字節(jié)0.03美元的水平到2000年。每兆字節(jié)的價(jià)格預(yù)計(jì)將減少到低于此水平下一個(gè)十年。摘要新的添加已顯示出在過(guò)去40年中擴(kuò)展了HDD的功能，該存儲(chǔ)設(shè)備是每個(gè)信息處理系統(tǒng)的組成部分。新的頭部有是這一進(jìn)展的關(guān)鍵要素，這是預(yù)計(jì)將繼續(xù)從MR過(guò)渡到GMR負(fù)責(zé)人。新的磁頭和磁盤結(jié)構(gòu)是在實(shí)驗(yàn)室調(diào)查中到今年將面密度擴(kuò)展到10 Gbit / in2以上2000。